荷兰阿斯麦公司宣布，他们的首台采用0.55数值孔径投影光学系统的高数值孔径极紫外光刻机已经成功印刷出首批图案，这是整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。这一成就让人们对未来的半导体技术充满期待。
ASML公司表示，他们的高数值孔径EUV系统首次印刷出10纳米线宽图案，这是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。他们将继续努力提高系统性能，并在实际生产环境中复制这一成果。
目前全球仅有两台高数值孔径EUV光刻系统，ASML公司建造了其中一台，另一台则在美国英特尔公司的D1X晶圆厂组装。ASML公司似乎是第一家成功进行图案化的公司，这对整个半导体行业都是一个重大突破。
ASML公司的Twinscan EXE:5000型光刻机将用于自身研发和技术改进，而英特尔公司则将利用Twinscan EXE:5000型光刻机学习如何使用高数值孔径EUV光刻技术进行芯片量产。英特尔计划将其用于18A制程工艺的研发，并在未来的14A制程产线中部署下一代Twinscan EXE:5200型光刻机。
新型Twinscan EXE:5200型光刻机配备0.55NA镜头，能够实现8nm的超高分辨率，相比目前的13nm分辨率EUV光刻机有了显著提升。这项技术的引入将简化生产流程、提高产量并降低成本，对于2025-2026年上市的3nm以下制程芯片至关重要。
虽然每台高数值孔径光刻机的价格高达4亿美元，并且在应用于尖端制程工艺时会遇到挑战，但这一技术的突破将为半导体行业带来新的发展机遇。阿斯麦High-NA EUV光刻机的成功将引领半导体技术迈向新的高度，为未来的科技发展打开新的可能性。