三星即将带来第9代290层V-NAND技术，这一消息让存储行业再次为之一振。据悉，这款新技术将取代之前的第8代236层产品，层数之高令人瞠目结舌。而更令人期待的是，明年三星还将推出第10代430层产品，预计将引入更先进的三堆栈架构，为用户带来更出色的体验。
传闻称，首款采用第9代V-NAND技术的产品将是1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到了28.5Gb mm2，超越了目前业界最高的产品。同时，I/O速率也将大幅提升，为用户提供更快的数据传输速度。未来，三星可能会推出容量达到16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品，满足不同用户的需求。
除了存储密度和性能的提升，新款3D NAND闪存芯片还将采用全新的结构，最大化3D NAND闪存输入/输出速度。预计三星将推出采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD，为用户带来更加强大的性能表现。
2022年，三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了雄心勃勃的长期愿景，计划到2030年将层数提高至1000层。然而，铠侠等竞争对手也在积极追赶，计划在2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。未来的存储行业竞争将更加激烈，技术创新将成为企业竞争的关键。