氮化镓晶圆的大尺寸化进程再次加速！在最近的2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上，西安电子科技大学联合广东致能科技展示了全球首片8英寸蓝宝石基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）晶圆器件。这意味着，氮化镓市场的扩大正在加速，而晶圆的大尺寸化将成为半导体器件发展的必由之路。
据悉，西安电子科技大学的李祥东团队通过调控外延工艺，成功控制了氮化镓外延片的不均匀性在4%以内，制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压更是突破了2000V。这意味着，8英寸晶圆将成为氮化镓主流电力电子器件的必由之路。
除了技术突破，8英寸晶圆还带来了经济效益。每片GaN HEMTs晶圆的芯片数量将比6英寸晶圆多近2倍，从而降低了氮化镓器件的成本。随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的不断成熟和大批量出货，单片价格将快速下降。这将对现有硅基MOSFET、IGBT以及碳化硅MOSFET产生冲击。
氮化镓晶圆结合了氮化镓的优异电子特性和蓝宝石衬底的高热导性，在高频、高功率和高温度应用中表现出色。随着氮化镓器件在汽车、数据中心等领域的应用不断增加，氮化镓市场前景广阔。中国作为氮化镓应用发展的主要市场之一，将在推动氮化镓技术发展方面发挥关键作用。
8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆的发布标志着氮化镓晶圆的大尺寸化加速，将为半导体器件领域带来新的发展机遇。
