近日ASML（阿斯麦）表示，本月将向第二位客户交付High-NA EUV光刻机，安装工作也即将开始。不过ASML并没有透露，具体交付给哪一家公司。其提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。
ASML还宣布，已经在其位于荷兰费尔德霍芬的High-NA实验室首次使用High-NA EUV光刻机印刷出10nm线宽（dense line）图案。这是迄今为止打印出的最精细的线条，创下了EUV光刻设备新的世界纪录。这是世界上目前仅有的两套High-NA EUV光刻系统之一，另外一套刚刚在英特尔的Fab D1X晶圆厂完成组装工作，正在进行校准步骤。
该演示验证了ASML合作伙伴蔡司的创新型High-NA EUV光学设计，在光学系统、传感器和平台完成粗调校准后，打印出突破性的图案。这是以全规格运行的第一步，接下来将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在实际生产环境中复制这一成果。
虽然ASML的客户并不着急使用High-NA EUV光刻机进行大规模生产，但都准备在未来某个时间点引入新的制造工艺，这也是ASML对High-NA EUV光刻机的销售前景感到乐观的原因之一。此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。
